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专任教师

伍涵

伍涵

博士后


    • 办公地点:鼎新楼 616A

    • 电子邮件:hanwu@ustb.edu.cn

    • 主讲课程:-

    • 科研方向:(1) 宽禁带半导体器件;(2) 铪基与钙钛矿铁电薄膜;(3) 低功耗逻辑器件;

                       (4) 弛豫铁电储能。

简历

2025.03—至今 北京科技大学固体化学研究所,博士后
2020.09—2025.01 北京科技大学,博士
2017.09—2020.06 北京邮电大学,硕士
2013.09—2017.06 南京邮电大学,本科

科研业绩

立足固体化学、凝聚态物理与半导体器件应用的交叉,围绕功能氧化物薄膜与宽禁带半导体器件开展了系统性研究。聚焦半导体异质界面调控、复杂晶体结构解析、铁电极化及其弛豫特性的协同优化等关键科学问题。依托同步辐射大科学装置、电子显微分析、DFT计算、相场模拟及多维电学性能等多元化平台,构建了“物性机制解析—高质量薄膜外延—高性能器件集成”的一体化研究体系。截至目前,相关研究成果以第一作者身份在Adv. Mater.、Inorg. Chem. Front.等期刊发表论文4篇;并作为主要合作者在Sci. Adv.、J. Am. Chem. Soc.、Small等期刊发表多篇论文。

获得奖励/专利

招生计划

欢迎对半导体器件、凝聚态物理、固体化学以及其他以应用为导向的相关学科感兴趣的同学进组一起学习!

代表性论文论著

[1] Wu H., Shu L. C., Zhang Q. H., et al. Ultrasensitive Deep-Ultraviolet Photodetectors Based On Band Engineering and Ferroelectric Modulation”. Adv. Mater., 2025, 37(29): 2412717.
[2] Wu H., Shen J. Y., Shu L. C., et al. Hafnia-based oxide enhanced Ga2O3-based photodetectors via band engineering with ultralarge responsivity”. Inorg. Chem. Front., 2024, 11(10): 2894-2901.
[3] Wu H., Shu L. C., Yan S. H., et al. Interfacial defect engineering to boost deep-ultraviolet photodetection based on a wide-bandgap semiconductor heterostructure”. Inorg. Chem. Front., 2025, 12(16): 4870-4878.
[4] Wu H., Huang Y. Q., Zhi Y. S., et al. Single-layer graphene electrode enhanced sensitivity and response speed of β-Ga2O3 solar-blind photodetector”. Opt. Mater. Express, 2019, 9(3): 1394-1403.

研究生培养情况

协助指导博士生1名,硕士生2名。