12月18日，中科院高能所、北京高能光源（HEPS）研究员王焕华，作了题为《高能光源低维结构探针光束线站的方法学及其应用》的学术报告。报告系统介绍了我国首条专用于低维材料与器件研究的同步辐射光束线站——HEPS-LoDiSP的设计理念、方法学创新及其在前沿科学探索中的关键作用。

在报告中指出，随着光电器件进入纳米尺度，量子与界面效应成为性能主导，传统表征手段面临巨大挑战。为此，团队在北京高能光源精心设计并建设了低维结构探针线站（HEPS-LoDiSP）。该线站以相干表面X射线散射技术为核心，旨在构建一个能在复杂真实环境下、对低维材料原子结构与电子动态进行原位、精准解析的综合性研究平台。

报告重点阐释了该线站的双站设计与核心能力：在前实验站，研究人员可集成高温、低温、电场、超高真空及特殊气氛等多种极端环境，并运用共振/非共振X射线散射、衍射、反射、原子对分布函数（PDF）、布拉格相干衍射成像（Bragg CDI）及X射线光子关联谱（XPCS）等一系列先进方法，实现对材料从静态结构到动态演变的全面探测。在其后实验站，团队将着力发展原创的倏逝波调制技术。这项技术有望突破复杂功能化合物（如新型量子材料）在迈向实际应用过程中的关键瓶颈，旨在打通其从实验室研究到“类硅”工业化生产的道路，并计划依托此平台开展低维量子相变及电子驻波量子相干性等前沿基础研究。

图1 王焕华研究员报告现场